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零件图片（仅供参考）
BSD223P H6327
规格参数
  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSD223P H6327
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：390mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1.5A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.62nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：56pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：250mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装：PG-SOT363-6
  • BSD223P H6327，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：BSD223P H6327
  • 原始制造厂商：英飞凌（Infineon）
  • 技术标准参数：MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
  • 产品应用分类：场效应管阵列
  • 点击此处查询BSD223P H6327的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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