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BSR202N L6327 零件图片（仅供参考）

BSR202N L6327
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BSR202N L6327 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSR202N L6327
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.8A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：21 毫欧 @ 3.8A，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 30A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1147pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：500mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装：PG-SC-59
  • BSR202N L6327，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
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BSR202N L6327 基本参数：

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