BSS169 L6327（英飞凌，单端场效应管，PG-SOT23-3）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：BSS169 L6327

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

系列：SIPMOS

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：耗尽模式

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：170mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6 欧姆 @ 170mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.8nC @ 7V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：68pF @ 25V

功率 - 最大值：360mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：PG-SOT23-3

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基本参数：

电子零件型号：BSS169 L6327

原始制造厂商：英飞凌（Infineon）

技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

产品应用分类：单端场效应管

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