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BSS670S2L L6327 零件图片（仅供参考）

BSS670S2L L6327
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BSS670S2L L6327 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSS670S2L L6327
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：55V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：540mA（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：650 毫欧 @ 270mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 2.7A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.26nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：75pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：360mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装：PG-SOT23-3
  • BSS670S2L L6327，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
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BSS670S2L L6327 基本参数：

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