BTS282Z（英飞凌，单端场效应管，PG-TO220-7）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

Infineon英飞凌公司完整型号：BTS282Z

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

系列：TEMPFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：温度保护

漏源极电压 (Vdss)：49V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.5 毫欧 @ 36A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 240A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：232nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4800pF @ 25V

功率 - 最大值：300W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-7 成形引线

供应商器件封装：PG-TO220-7

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基本参数：

电子零件型号：BTS282Z

原始制造厂商：英飞凌（Infineon）

技术标准参数：MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

产品应用分类：单端场效应管

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