FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1 零件图片（仅供参考）
FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1 规格参数
- 型号:FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1
- 品牌:Infineon Technologies Americas Corp. (Infineon,英飞凌)
- 封装:AG-EASY2B
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 技术:碳化硅（SiC）
- 配置:2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):190A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 200A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.15V @ 80mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:594nC @ 18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:17600pF @ 800V
- 功率 - 最大值:20mW
- 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:AG-EASY2B
- FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
