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规格参数
Infineon英飞凌公司完整型号:IGD01N120H2制造商:Infineon Technologies(英飞凌)描述:IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3系列:-IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1200V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3.2ACurrent - Collector Pulsed (Icm):3.5A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.8V @ 15V,1A功率 - 最大值:28WSwitching Energy:140J输入类型:标准Gate Charge:8.6nC25°C 时 Td(开/关)值:13ns/370nsTest Condition:800V, 1A, 241 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TO252-3IGD01N120H2,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。
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