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IGD10N65T6ARMA1 零件图片（仅供参考）

IGD10N65T6ARMA1
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IGD10N65T6ARMA1 规格参数

  • 型号:IGD10N65T6ARMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-TO252-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:23 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):42.5 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，8.5A
  • 功率 - 最大值:75 W
  • 开关能量:200J（导通），70J（关断）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:27 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/106ns
  • 测试条件:400V，8.5A，47 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
  • 供应商器件封装:PG-TO252-3
  • IGD10N65T6ARMA1，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
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IGD10N65T6ARMA1 基本参数：

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