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零件图片（仅供参考）
IKD10N60RFAATMA1
规格参数
  • 制造商产品型号：IKD10N60RFAATMA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchStop
  • 零件状态：不用於新
  • IGBT类型：沟道
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：20A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：30A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，10A
  • 功率-最大值：150W
  • 开关能量：190J（开），160J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：64nC
  • 25°C时Td（开/关）值：12ns/168ns
  • 测试条件：400V，10A，26 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：72ns
  • 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
  • IKD10N60RFAATMA1，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：IKD10N60RFAATMA1
  • 原始制造厂商：英飞凌（Infineon）
  • 技术标准参数：IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
  • 产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询IKD10N60RFAATMA1的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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