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规格参数
制造商产品型号:IKD15N60RATMA1制造商:Infineon Technologies(英飞凌)描述:IGBT 600V 30A TO252-3系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:TrenchStop零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):30A电流-集电极脉冲(Icm):45A不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A功率-最大值:250W开关能量:370J(开),530J(关)输入类型:标准栅极电荷:90nC25°C时Td(开/关)值:16ns/183ns测试条件:400V,15A,15 欧姆,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63IKD15N60RATMA1,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。
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