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IMBG120R034M2HXTMA1 零件图片（仅供参考）

IMBG120R034M2HXTMA1
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IMBG120R034M2HXTMA1 规格参数

  • 型号:IMBG120R034M2HXTMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-TO263-7
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:SICFET N-CH 1200V 58A TO263
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):58A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V，18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 20.4A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.1V @ 6.4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）:+23V，-7V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1510 pF @ 800 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:278W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PG-TO263-7
  • 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
  • IMBG120R034M2HXTMA1，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
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IMBG120R034M2HXTMA1 基本参数：

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