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零件图片（仅供参考）
IPB180N06S4-H1
规格参数
  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPB180N06S4-H1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.7 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：270nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：21900pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：250W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-7，DPak（6 引线+接片），TO-263CB
  • 供应商器件封装：PG-TO263-7
  • IPB180N06S4-H1，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：IPB180N06S4-H1
  • 原始制造厂商：英飞凌（Infineon）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
  • 产品应用分类：单端场效应管
  • 点击此处查询IPB180N06S4-H1的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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