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IPD50R3K0CE 零件图片（仅供参考）

IPD50R3K0CE
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IPD50R3K0CE 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPD50R3K0CE
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
  • 系列：CoolMOS CE
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.7A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 400mA， 13V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 30A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.3nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：84pF @ 100V
  • 功率 - 最大值：18W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商器件封装：PG-TO-252
  • IPD50R3K0CE，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
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IPD50R3K0CE 基本参数：

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