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规格参数
制造商产品型号:IPP90R1K2C3XKSA1制造商:Infineon Technologies(英飞凌)描述:MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:CoolMOS?零件状态:停产FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):900V25°C时电流-连续漏极(Id):5.1A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.2 欧姆 @ 2.8A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 310μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):28nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):710pF @ 100VFET功能:-功率耗散(最大值):83W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:PG-TO220-3IPP90R1K2C3XKSA1,英飞凌(Infineon)产品一站式供应商。
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