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零件图片（仅供参考）
IPT020N10N5ATMA1
规格参数
  • 制造商产品型号：IPT020N10N5ATMA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：OptiMOS?5
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：31A（Ta），260A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2毫欧 @ 150A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 202μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：152nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：11000pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：273W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PG-HSOF-8-1
  • IPT020N10N5ATMA1，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：IPT020N10N5ATMA1
  • 原始制造厂商：英飞凌（Infineon）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询IPT020N10N5ATMA1的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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