IQE006NE2LM5CGSCATMA1 零件图片（仅供参考）
IQE006NE2LM5CGSCATMA1 规格参数
- 型号:IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:PG-WHTFN-9-1
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:25 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):47A（Ta），310A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:0.58 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5453 pF @ 12 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），89W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PG-WHTFN-9-1
- 封装/外壳:9-PowerWDFN
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
