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IRF7701TR 零件图片(仅供参考)

IRF7701TR
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IRF7701TR 规格参数

  • 制造商产品型号:IRF7701TR
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:HEXFET
  • 零件状态:停产
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):11 毫欧 @ 10A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):100nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5050pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.5W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-TSSOP
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IRF7701TR 基本参数:

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