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SPB08P06P G 零件图片（仅供参考）

SPB08P06P G
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SPB08P06P G 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号：SPB08P06P G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
  • 系列：SIPMOS
  • FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.8A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：300 毫欧 @ 6.2A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：420pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：42W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：PG-TO263-2
  • SPB08P06P G，英飞凌（Infineon）产品一站式供应商。
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SPB08P06P G 基本参数：

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